可靠性试验

芯片环境、寿命、电气、封装及机械可靠性试验内容

ESD静电防护测试全解析:HBM/CDM/MM、Latch-up与TLP/VF-TLP验证方法

ESD静电防护测试全解析:HBM/CDM/MM、Latch-up与TLP/VF-TLP验证方法

ESD测试不是单一项目。本文按HBM、CDM、MM、Latch-up/HT-LU、EOS与TLP/VF-TLP梳理验证层级、设备条件、操作步骤和常见误区,并说明车电AEC-Q要求下HBM不可跳级、CDM关注Corner Pin等要点;具体判据需按规范与项目确认。

admin admin 2026-10-21
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芯片可靠性验证:HTOL、温度循环与 HAST 各筛什么失效

芯片可靠性验证:HTOL、温度循环与 HAST 各筛什么失效

HTOL 考长期退化,温度循环考 CTE 失配疲劳,HAST 考潮气腐蚀与封装泄漏。本文把三种试验的失效机理、加速模型与外推逻辑拆开讲清楚:条件从哪来、结果怎么判、哪五种误判最常见。

admin admin 2026-10-21
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芯片封装可靠性试验项目全解析:从预处理到THB、TCT、HAST

芯片封装可靠性试验项目全解析:从预处理到THB、TCT、HAST

芯片封装可靠性测试不是单项试验,而是预处理之后的湿热、热应力与功率类组合验证。本文梳理THB、H3TRB、PCT、HST、HAST、TCT、TST、HTST/LTST与PTC的典型条件、作用和判定要点,并说明常见易混点与送样安排。

admin admin 2026-10-21
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