材料介绍IDDQ测试的定义与原理：全互补静态CMOS电路在稳态时电源电流极低，若存在节点短接等缺陷会形成电源到地通路，使IDDQ异常升高；测试流程为施加输入向量后在稳态区域测量电流，超过阈值即判为故障电路。材料还对比传统逻辑测试的局限，指出固定型故障模型难以建模CMOS桥接缺陷。
材料介绍IDDQ测试的定义与原理：全互补静态CMOS电路在稳态时电源电流极低，若存在节点短接等缺陷会形成电源到地通路，使IDDQ异常升高；测试流程为施加输入向量后在稳态区域测量电流，超过阈值即判为故障电路。材料还对比传统逻辑测试的局限，指出固定型故障模型难以建模CMOS桥接缺陷。