11月2日，上海新微半导体有限公司正式发布第二代700V氮化镓增强型（E-mode）功率工艺平台。该平台采用公司自研GaN外延结构，器件单位面积导通电阻较上一代工艺平台缩减约40%。公司已构建覆盖40V-700V全电压段的氮化镓功率工艺矩阵，该平台适配快充、AI服务器、新能源汽车、工业电源及DC-DC转换器等应用。
11月2日，上海新微半导体有限公司正式发布第二代700V氮化镓增强型（E-mode）功率工艺平台。该平台采用公司自研GaN外延结构，器件单位面积导通电阻较上一代工艺平台缩减约40%。公司已构建覆盖40V-700V全电压段的氮化镓功率工艺矩阵，该平台适配快充、AI服务器、新能源汽车、工业电源及DC-DC转换器等应用。