11月2日，上海新微半导体有限公司正式发布第二代700V增强型氮化镓功率工艺平台。新平台采用自主研发的GaN外延结构，并升级栅极、场板、钝化等关键制造工艺，器件单位面积导通电阻较上一代降低约40%，同时优化高压可靠性、芯片面积及制造成本，可满足快充、AI服务器、新能源汽车、工业电源及DC-DC转换器等领域的功率器件制造需求。
11月2日，上海新微半导体有限公司正式发布第二代700V增强型氮化镓功率工艺平台。新平台采用自主研发的GaN外延结构，并升级栅极、场板、钝化等关键制造工艺，器件单位面积导通电阻较上一代降低约40%，同时优化高压可靠性、芯片面积及制造成本，可满足快充、AI服务器、新能源汽车、工业电源及DC-DC转换器等领域的功率器件制造需求。