长电科技申请芯片封装结构专利,涉及MEMS器件密封腔设计

11月3日消息,国家知识产权局信息显示,江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构、晶圆级芯片封装结构及制备方法”的专利。专利摘要显示,该申请涉及先进封装技术领域,芯片结构具有第一键合环、第二键合环,敏感结构设置在第一键合环内侧;盖板具有第三键合环、第四键合环,第一键合环与第三键合环直接键合、第二键合环与第四键合环直接键合,使芯片结构与盖板形成容纳敏感结构的密封腔。

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