材料围绕半导体混合键合技术，分析铜-介质协同键合中表面形貌、界面洁净度与金属连接质量的协同控制问题，指出铜凹陷与突出、CMP残留与颗粒污染可导致界面空洞，对准误差与热膨胀差异影响互连良率，需将表面处理、清洗、对准精度和热处理纳入整体工艺设计。
材料围绕半导体混合键合技术，分析铜-介质协同键合中表面形貌、界面洁净度与金属连接质量的协同控制问题，指出铜凹陷与突出、CMP残留与颗粒污染可导致界面空洞，对准误差与热膨胀差异影响互连良率，需将表面处理、清洗、对准精度和热处理纳入整体工艺设计。