据日媒报道，佳能计划到2029年将面向半导体后端工艺的光刻设备产能较2026年提升50%，扩产主要针对封装、中介层及多芯片模块等后段曝光设备。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也表示，自2025年年中起先进后段制程设备洽询量急速增加，HBM相关需求也在扩大。扩产依托宇都宫事业所2025年9月投产的新工厂，该工厂预计2027年满产。
据日媒报道，佳能计划到2029年将面向半导体后端工艺的光刻设备产能较2026年提升50%，扩产主要针对封装、中介层及多芯片模块等后段曝光设备。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也表示，自2025年年中起先进后段制程设备洽询量急速增加，HBM相关需求也在扩大。扩产依托宇都宫事业所2025年9月投产的新工厂，该工厂预计2027年满产。