2026年10月22日，据日媒报道，佳能计划到2029年将半导体后端工艺光刻设备产能较2026年提升50%。此次扩产面向封装、中介层及多芯片模块等后段环节的曝光设备，不涉及前道先进制程光刻机。
需求背景
佳能半导体设备事业部负责人三浦圣表示，自2025年年中起，先进后段制程设备的洽询量急速增加，HBM相关需求也在扩大。随着先进逻辑芯片越来越多采用多芯片封装技术，中介层尺寸持续增大，后段曝光工序的重要性随之上升。
产能路径与产量数据
扩产主要依托宇都宫事业所内2025年9月投产的新工厂。该工厂预计2027年实现满产，届时联合宇都宫与阿见两大基地，佳能光刻机年产量预计突破300台，较2024年233台的出货量增长近三成。
2026年佳能光刻机产量预计约为227台，2027年计划提升至340至450台。此次“2029年较2026年再增50%”属于分阶段爬坡，与2025年新工厂带来的产能提升并非同一基准。
产品与客户
佳能已向台积电交付i线曝光设备。公司正在开发面向先进封装工艺的i线光刻设备，并已推出一款分辨率0.8微米、可处理510毫米×515毫米基板的大尺寸基板光刻机，具备高对准精度和大视场角。
对于无掩膜直写方案是否构成竞争，三浦圣表示“目前还不是i线光刻机在重布线层生产领域的直接竞争对手”。