据路透社10月21日援引知情人士消息，三星电子与SK海力士正升级在华工厂以生产更先进存储芯片。三星西安工厂约占其全球NAND产量40%，正改造以生产286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片。SK海力士寻求将大连工厂转产240层及以上NAND，该厂目前生产192层产品。
据路透社10月21日援引知情人士消息，三星电子与SK海力士正升级在华工厂以生产更先进存储芯片。三星西安工厂约占其全球NAND产量40%，正改造以生产286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片。SK海力士寻求将大连工厂转产240层及以上NAND，该厂目前生产192层产品。