据路透社援引知情人士报道，三星电子与SK海力士正升级中国大陆存储晶圆厂以生产更先进NAND芯片。三星西安厂约占其全球NAND产量40%，拟通过“Monami”项目改造为286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆、2027年12月提升至4万片。SK海力士大连厂目前生产192层产品，计划转为生产240层及以上NAND。两家公司确认升级工作正在进行，未披露新生产计划细节。
据路透社援引知情人士报道，三星电子与SK海力士正升级中国大陆存储晶圆厂以生产更先进NAND芯片。三星西安厂约占其全球NAND产量40%，拟通过“Monami”项目改造为286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆、2027年12月提升至4万片。SK海力士大连厂目前生产192层产品，计划转为生产240层及以上NAND。两家公司确认升级工作正在进行，未披露新生产计划细节。