2026年10月22日发布的技术文章指出，HTOL报告在125°C下跑1000小时、样品全部通过，按JEDEC标准等效于十年寿命并签核通过；但文章提出，HTOL测试板用环形振荡器使逻辑路径持续翻转，而芯片中电源管理模块的PMOS晶体管在待机时栅极持续偏置，NBTI应力无恢复窗口、持续累积，导致这类管子老化被严重低估，其寿命可能只有四年并决定整颗芯片寿命。
2026年10月22日发布的技术文章指出，HTOL报告在125°C下跑1000小时、样品全部通过，按JEDEC标准等效于十年寿命并签核通过；但文章提出，HTOL测试板用环形振荡器使逻辑路径持续翻转，而芯片中电源管理模块的PMOS晶体管在待机时栅极持续偏置，NBTI应力无恢复窗口、持续累积，导致这类管子老化被严重低估，其寿命可能只有四年并决定整颗芯片寿命。