电子工程专辑发布技术文章指出，将MOS管从8mΩ换成4mΩ低导通电阻型号后，样机效率仅变化零点几，部分负载点甚至更差。文章分析称RDS(on)仅影响导通损耗，更低阻值往往伴随更大栅极电荷和输出电容，在高开关频率下开关损耗占比更高，需结合Qg、Qgd、Coss、反向恢复及驱动能力综合评估。
电子工程专辑发布技术文章指出，将MOS管从8mΩ换成4mΩ低导通电阻型号后，样机效率仅变化零点几，部分负载点甚至更差。文章分析称RDS(on)仅影响导通损耗，更低阻值往往伴随更大栅极电荷和输出电容，在高开关频率下开关损耗占比更高，需结合Qg、Qgd、Coss、反向恢复及驱动能力综合评估。