材料介绍车规芯片ESD可靠性验证中HBM与CDM两种测试模型的区别：HBM模拟人体带电触摸芯片引脚，用100pF电容和1.5kΩ电阻等效，放电较缓、峰值电流较低；CDM模拟芯片自身积累静电后对地瞬时放电，放电为纳秒级、峰值电流大。文中还提到AEC-Q100对HBM与CDM的测试要求，但CDM部分内容不完整。
材料介绍车规芯片ESD可靠性验证中HBM与CDM两种测试模型的区别：HBM模拟人体带电触摸芯片引脚，用100pF电容和1.5kΩ电阻等效，放电较缓、峰值电流较低；CDM模拟芯片自身积累静电后对地瞬时放电，放电为纳秒级、峰值电流大。文中还提到AEC-Q100对HBM与CDM的测试要求，但CDM部分内容不完整。