2026年10月22日，英飞凌科技股份公司宣布深化与NVIDIA的合作，共同推动面向AI数据中心的800 VDC电源架构。该合作在NVIDIA柏林GTC开发者大会期间发布，重点落在高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌表示，凭借性能优势，氮化镓（GaN）技术正成为这一电源转换环节的重要选择。
聚焦IBC电源转换环节
英飞凌将IBC描述为AI数据中心供电链路中技术要求最严苛的环节之一。中间总线转换器把为主总线供电的电压降至较低水平，使后续电源级能够生成AI处理器所需、电压控制精准的核心电源与负载点电源。这种多级转换方式有助于降低配电损耗，同时应对电路板空间、散热限制和持续运行时间的要求。英飞凌称，800 VDC正逐步进入AI数据中心供电架构，与现行交流及低压直流架构并行。
GaN器件与系统方案
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，AI正在重塑对电力基础设施的需求，以氮化镓为基础的系统解决方案是支撑下一代数据中心的重要驱动力。
按照英飞凌的说法，与硅相比，GaN功率器件能以更低损耗实现更快的开关速度，使IBC的开关频率最高可达1 MHz，从而缩小磁性器件与无源器件尺寸，提升功率密度并降低电路板高度。GaN的低导通损耗与低开关损耗也有助于控制电能转换损耗与发热量。
在系统层面，英飞凌已提供结合PSoC™ Control C3与EiceDRIVER™产品系列的完整IBC系统解决方案。其GaN产品组合支持800 V转50 V、800 V转12 V以及800 V转6 V的电压转换比例；IBC解决方案则覆盖硅、GaN与碳化硅（SiC）三类器件，以适配不同的设计需求。
合作沿革
双方于2025年5月首次宣布合作，并于同年10月进一步深化，当时的重点围绕可维护、支持热插拔的800 VDC服务器机架。2025年10月，双方还宣布了聚焦热插拔控制器等电源路径保护的方案，以支持未来的服务器主板适配800 VDC电源架构。此次合作范围覆盖从电网侧电源供应单元到处理器端负载点的供电链路。
尚未披露的信息
公开信息未披露此次合作涉及的具体客户、金额，以及量产或出货时间，也没有第三方测试数据。