全球封装设备企业Besi技术高级副总裁Chris Scanlan在iNEMI封装技术网络研讨会上介绍，互连间距路线图从140μm走向10μm以内，接触密度增至每平方毫米10万个；批量回流焊覆盖140至60μm倒装主流，热压键合接手90μm以下细间距与3D堆叠，混合键合以铜-铜直接互连进入10μm以下。基板由mSAP、ETS、RDL向BEOL演进。
全球封装设备企业Besi技术高级副总裁Chris Scanlan在iNEMI封装技术网络研讨会上介绍，互连间距路线图从140μm走向10μm以内，接触密度增至每平方毫米10万个；批量回流焊覆盖140至60μm倒装主流，热压键合接手90μm以下细间距与3D堆叠，混合键合以铜-铜直接互连进入10μm以下。基板由mSAP、ETS、RDL向BEOL演进。