该文以深度解析形式梳理高压SiC/GaN芯片嵌埋式PCB封装路径，覆盖晶圆、镀铜、Power Cell、嵌入PCB、模组至系统集成环节。文中指出宽禁带器件面临电性能、散热与可靠性挑战，并从空间、材料、可靠性三个维度探讨结构优化、基材改进与绝缘失效评估。
该文以深度解析形式梳理高压SiC/GaN芯片嵌埋式PCB封装路径，覆盖晶圆、镀铜、Power Cell、嵌入PCB、模组至系统集成环节。文中指出宽禁带器件面临电性能、散热与可靠性挑战，并从空间、材料、可靠性三个维度探讨结构优化、基材改进与绝缘失效评估。