新洁能经营分析披露：N120V第三代SGTMOS首颗产品已量产并启动车规级考核验证；第七代微沟槽IGBT在2座12英寸和3座8英寸晶圆厂量产，平均良率约98%；第八代1200V IGBT通过可靠性考核。多款SGTMOS与IGBT平台处于工程流片或验证阶段。
新洁能经营分析披露：N120V第三代SGTMOS首颗产品已量产并启动车规级考核验证；第七代微沟槽IGBT在2座12英寸和3座8英寸晶圆厂量产，平均良率约98%；第八代1200V IGBT通过可靠性考核。多款SGTMOS与IGBT平台处于工程流片或验证阶段。