材料介绍半导体Flash芯片的裕量读取测试，用于评估存储单元在正常读取阈值外的安全余量。测试分ON裕量和OFF裕量两种方向，传统方式由外部测试机改变读取电压逐级扫描，较新方案在芯片内部集成测试电路，通过电流镜产生裕量电流改变读取条件以加快速度。文中还提及嵌入式Flash测试中裕量0对捕获电荷泄漏失效更为关键。
材料介绍半导体Flash芯片的裕量读取测试，用于评估存储单元在正常读取阈值外的安全余量。测试分ON裕量和OFF裕量两种方向，传统方式由外部测试机改变读取电压逐级扫描，较新方案在芯片内部集成测试电路，通过电流镜产生裕量电流改变读取条件以加快速度。文中还提及嵌入式Flash测试中裕量0对捕获电荷泄漏失效更为关键。