该材料介绍芯片高温工作寿命试验（HTOL）与老化试验的原理与差异，指出HTOL通过提升温度和施加偏置电压加速暴露潜在缺陷，常见失效包括金属化电迁移、栅氧击穿、热载流子注入等，并说明老化筛选与HTOL验证在目的、时长和失效判据上的不同，同时列出温度、偏置、时长、样本量等关键参数范围。
该材料介绍芯片高温工作寿命试验（HTOL）与老化试验的原理与差异，指出HTOL通过提升温度和施加偏置电压加速暴露潜在缺陷，常见失效包括金属化电迁移、栅氧击穿、热载流子注入等，并说明老化筛选与HTOL验证在目的、时长和失效判据上的不同，同时列出温度、偏置、时长、样本量等关键参数范围。