中国电科58所两款自研抗辐照功率MOSFET芯片首次搭载商用卫星发射入轨，并在轨正常运行。两款产品为抗辐射N沟道MOSFET器件，总剂量与单粒子性能优良，满足太空环境下高可靠、大功率应用需求，已应用于星载电源模块，并可定制化研发以支撑电源模块、DC-DC变换器和马达控制器等场景。
中国电科58所两款自研抗辐照功率MOSFET芯片首次搭载商用卫星发射入轨，并在轨正常运行。两款产品为抗辐射N沟道MOSFET器件，总剂量与单粒子性能优良，满足太空环境下高可靠、大功率应用需求，已应用于星载电源模块，并可定制化研发以支撑电源模块、DC-DC变换器和马达控制器等场景。