据台积电提交给2026年12月IEDM的论文摘要，A14 NanoFlex Pro平台将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下，较N5以来约0.021平方微米缩减超19%。台积电称该工艺计划2027年预生产、2028年量产；2026年7月财报电话会披露256Mb SRAM良率接近90%，客户流片已启动。
据台积电提交给2026年12月IEDM的论文摘要，A14 NanoFlex Pro平台将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下，较N5以来约0.021平方微米缩减超19%。台积电称该工艺计划2027年预生产、2028年量产；2026年7月财报电话会披露256Mb SRAM良率接近90%，客户流片已启动。