一份2026年发布的深度研究报告聚焦GaN-on-Si电力电子器件在快充与数据中心电源应用的推广瓶颈、可靠性标准及协同创新机制。报告指出，全球尚无针对100W以上快充及3kW以上数据中心电源场景的IEC/UL级专用可靠性测试标准，企业多沿用硅基MOSFET或SiC器件测试方法；2025年GaN-on-Si快充适配器渗透率为41.3%；Navitas、PI与英诺赛科等牵头的联盟已联合32家机构共建联合实验室。
一份2026年发布的深度研究报告聚焦GaN-on-Si电力电子器件在快充与数据中心电源应用的推广瓶颈、可靠性标准及协同创新机制。报告指出，全球尚无针对100W以上快充及3kW以上数据中心电源场景的IEC/UL级专用可靠性测试标准，企业多沿用硅基MOSFET或SiC器件测试方法；2025年GaN-on-Si快充适配器渗透率为41.3%；Navitas、PI与英诺赛科等牵头的联盟已联合32家机构共建联合实验室。