小尺寸封装的CDM测试（CDM Testing）在接触优先路线下，主要有三种方案：CC-TLP、低阻抗接触CDM（LI-CCDM）和继电器探针接触CDM（RP-CCDM）。一句话区分：CC-TLP采用50 Ω传输线体系，地回流经电容耦合；LI-CCDM源阻抗约16.7 Ω，不依赖空气放电；RP-CCDM用汞继电器实现“先接触、后放电”。原文明确，目前没有共识认为三者中哪一种最优，它们都是裸片CDM测试的可行选项。
这组文章按问题递进：Part 1（2026年1月）讨论FICDM测试小尺寸产品时顶针尺寸不匹配、低耐受电压区间不可靠等问题；Part 2（2026年3月）讨论仍属空气放电的解决思路；Part 3（2026年4月1日）转向接触优先方案，即先与器件建立接触，再施加类似CDM的应力，不靠空气放电。
为什么小尺寸封装需要接触优先方案
- 顶针（pogo pin）尺寸与封装尺寸或焊球凸点尺寸不匹配，是FICDM测试小尺寸产品的主要问题之一。
- 小尺寸产品的耐受电压可能很低，而FICDM在该区间已知不可靠。
- 带顶针的标准FICDM测试系统不适用于裸片或晶圆级（含2.5D/3D微凸点D2D接口）CDM测试。
原文明确：三种方法都是裸片CDM测试的可行选项，目前没有共识认为哪一种最优。
三种方案的定位与适用范围
| 方案 | 核心特征 | 标准/依据 | 适用层级 |
|---|---|---|---|
| CC-TLP | 采用VF-TLP脉冲发生器；50 Ω传输线；只有信号引脚直接连到DUT，地回流为电容耦合 | 文献方法，原文给出相关研究 | 可在晶圆/裸片级进行，也可在封装级进行 |
| LI-CCDM | 顶针接两根50 Ω同轴电缆与一只50 Ω电阻，源阻抗约16.7 Ω；不依赖空气放电，能覆盖较低应力水平 | ANSI/ESD SP5.3.3 | 原为封装器件测试开发，可移植到晶圆级与裸片测试 |
| RP-CCDM | 汞继电器实现先接触、后放电；较大程度保留JS-002设计参数 | 设计上尽量保留ANSI/ESDA/JEDEC JS-002参数 | 面向小尺寸器件的接触优先CDM应力 |
标准与测试条件
LI-CCDM：依据ANSI/ESD SP5.3.3；耦合板沿用ANSI/ESDA/JEDEC JS-002的场板，但该场板经隔离电阻接地，而不是被充到高压；地平面尺寸与JS-002相同，顶针形式也类似。
RP-CCDM：设计上尽量保留ANSI/ESDA/JEDEC JS-002的参数。
CC-TLP：文献采用VF-TLP脉冲发生器；与CDM的相关性研究覆盖3 µm至7 nm工艺。
操作步骤
CC-TLP
- 将DUT放在探针台卡盘上。
- 由VF-TLP系统产生脉冲。
- 脉冲通过pick-off测量脉冲电压。
- 脉冲注入50 Ω传输线；传输线的地屏蔽接到地平面，信号线经地平面上的小孔接到探针针尖。
- 根据入射脉冲与反射脉冲的和、差，计算出DUT引脚上的电压和电流随时间的变化。
LI-CCDM
- 将顶针接到两根50 Ω同轴电缆和一只50 Ω电阻上，电阻另一端接地平面。
- 当远端按50 Ω端接时，两根电缆与电阻并联得到约16.7 Ω源阻抗。
- 其中一根电缆施加应力，另一根接示波器测应力电压。
- 应力来自一根充到目标电压的短同轴电缆放电；脉宽由该电缆长度控制。
- 电缆左端的电容与50 Ω电阻用于抑制反射。
RP-CCDM六步时序
- 场板接地，芯片视为中性。
- 闭合继电器，使探针针尖在接触前保持零电位。
- 探针接触待测引脚。
- 断开继电器。
- 场板缓慢升至高电位，通过电容耦合把DUT抬高电位。
- 闭合继电器触发放电。
结果判读与数据可比性
| 项目 | 原文给出的表现 |
|---|---|
| CDM数据（110 V充电电压区间） | 变化约30%，个别离群值约40% |
| CC-TLP峰值电流 | 变化约5% |
对同一峰值电流，两种方法的预充电电压之间不存在相关性。高重复性有助于用更小的应力步进确定失效阈值，这与现代深亚微米工艺所需CDM阈值下降的趋势有关。
相关性证据方面，多项覆盖3 µm–7 nm的研究显示，CC-TLP与CDM在应力电流失效阈值、电性失效特征与物理损伤特征上相关性良好。
LI-CCDM由于源阻抗较低，要得到给定ANSI/ESDA/JEDEC JS-002波形的同等电流，所需电压约为三倍；原文对此为近似表述。
常见错误与注意点
- 把CC-TLP当成普通VF-TLP：CC-TLP只把信号引脚直接连到DUT，地回流是电容耦合。
- 把LI-CCDM的场板当作FICDM那样充电：LI-CCDM中场板经隔离电阻接地。
- 忽略同轴电缆长度对应力脉宽的控制作用。
- 未按“先接触、后放电”的时序操作，导致在目标CDM应力之前发生非预期放电。
- 直接把小尺寸样品套用到FICDM顶针测试系统，并沿用其结果。
送样与试验安排建议
- 先明确测试层级：晶圆/裸片级、封装级，还是2.5D/3D微凸点D2D接口。
- 说明目标应力水平，以及是否处在已知FICDM不可靠的低耐受电压区间。
- 说明需要哪类相关性证据：失效阈值、电性失效特征、物理损伤特征。
- 写明所用方法与所依据的标准文件（ANSI/ESD SP5.3.3、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002）。
- 由于原文称业界无公认最优方法，测试报告宜写明方法选择理由；具体表述需人工确认。
FAQ
三种方法哪个最好？
原文称无共识，不能把其中一种写成公认最优。
CC-TLP只能在晶圆级做吗？
不是。原文明确可在晶圆/裸片级和封装级进行。
LI-CCDM一定需要封装器件吗？
LI-CCDM原为封装器件测试开发，但可移植到晶圆级与裸片测试。
110 V区间的30%波动能否外推到其他电压？
原文只给出该区间的数据，不能据此外推。
继电器方案为何第一步就要闭合继电器？
确保探针在接触前处于零电位，避免非预期放电。
资料与时间说明
本文是三部系列文章的第三篇，发布于2026年4月1日；Part 1发布于2026年1月，Part 2发布于2026年3月。内容为ESD Association技术报告摘要的一部分，原文致谢名单列出多位作者。原文文末附有11条参考文献；