当地时间2026年10月20日，马斯克在SpaceX电话会议上披露合资芯片制造企业Terafab的开发时间表，相关报道于2026年10月21日发布。Terafab由特斯拉与SpaceX联合设立，项目于2026年3月对外官宣。
已确认的时间节点
按披露的规划，Terafab目标在2028年第三季度实现量产。项目内部目标为2027年5月至6月期间，在得州奥斯汀研发基地产出首款搭载静态随机存取存储器（SRAM）电路的测试芯片，并成功上电运行。
场地进展方面，项目已于2026年10月上旬举办破土动工仪式，启动场地清理与前期基建工作。
厂区分工与规划方向
奥斯汀研发基地承担前期工艺打磨与试验流片任务；未来量产主厂区选址Grimes County原Gibbons Creek电厂地块，与奥斯汀研发设施分属不同场地。
按照规划，得州综合厂区拟集成先进逻辑芯片、存储芯片的制造、封装与测试能力，规划目标为每年输出1太瓦算力，产品供给人工智能与人形机器人业务使用。
SRAM测试芯片的含义
SRAM是芯片工艺验证阶段常用的测试载体，业内通常优先流片SRAM电路，用于检验光刻、刻蚀、薄膜等整套制程的稳定性与良率水平，是新产线、新工艺节点打通前的标志性验证步骤，并不代表正式商用产品。
编辑分析：SRAM测试芯片上电运行只说明前期试验流片环节取得进展，与量产工艺成熟、产品交付之间仍有距离，两者不宜混为一谈。
风险提示
马斯克本人在会议中主动提示，该时间规划预留了较大误差区间，项目落地存在不确定性，整体时间表具备较高挑战性。行业常规来看，美国一座前沿逻辑芯片晶圆厂从建设到投产周期通常达到三年甚至更久。
尚未披露的信息
具体制程节点、除每年1太瓦算力规划之外的产能数字、设备与材料供应商、客户结构，均未在来源中披露。