据2026年10月23日11:37发布的公开信息,奇瑞在全球创新大会上公布了紫微S系列车规功率芯片规划(大会具体日期在公开信息中未明确)。奇瑞此次列出的产品包括S750、S1200、S1500,以及一颗面向AI供电的S2300。
产品与量产节点
- S750、S1200:排在2026年。
- S1500:排在2027年。
- S2300:面向AI供电,公开信息未披露其量产时间。
工艺平台分三代推进
| 时间 | 平台 | 电压与电流 | 面向 |
|---|---|---|---|
| 2024—2025年 | 6英寸平面 | 1200V/100A、1200V/110A | 800V主驱 |
| 2026年 | 8英寸平面 | 1200V/190A、1500V/150A、2300V/110A | 公开信息未作细分 |
| 2027年(规划) | 沟槽或超结结构 | 延伸至3300V | 公开信息未作细分 |
自己做设计,制造找代工
奇瑞的SiC模块路数与部分车企接近:自己设计,制造交给代工,处在整车厂与专业功率器件厂之间。公开信息把8英寸量产列为这条产品线的关键一步,奇瑞称量产后成本可下降30%以上。原文解释称:晶圆面积按直径平方计算,8英寸比6英寸大约78%,一片晶圆可多切出三成多芯片,在良率稳定时成本可以压下来。
封装覆盖与工程难点
封装分五类系列,覆盖750V至1500V、450A至1450Arms。
编辑分析:单颗芯片电流做大后,模块内需要并联的芯片数量减少,导通损耗和封装复杂度随之下降;难点也在同一处——耐压越高,维持低电阻越困难。这一取舍决定了高耐压产品与主驱产品在结构选择上不会完全一致。
横向对照
原文提到,比亚迪半导体的设计、晶圆、封测一体推进,1500V碳化硅于2025年3月批量装车。奇瑞目前的路径是设计与制造分离,8英寸平台的导入进度将直接影响其成本表现。
说明:上述时间节点与电压电流参数均来自原文所载奇瑞公布内容,其中2027年沟槽或超结结构属于规划,成本下降30%以上为奇瑞方面说法。