据SEMI大半导体产业网报道，美光计划在正在开发的1ε DRAM工艺中引入晶圆键合，并在后续ζÅ节点采用High-NA EUV光刻。按原文表述，ζÅ将成为首个低于10nm级的DRAM节点。
已确认的路线图节点
美光1γ DRAM工艺已进入大规模量产。1δ计划于2027年下半年量产，位密度提升约20%，并针对HBM5、vHBM和vEIM等AI内存产品优化。
未披露的实现细节
对于1ε，美光未披露晶圆键合的实现方式与预期收益。ζÅ之后的ηÅ节点计划使用新材料。美光正与Albany NanoTech合作开发制造技术，预计这些技术将在未来5-10年内投入使用。
产品与架构储备
路线图还包括2代3D DRAM、3D1和3D2，架构与推出时间尚未公布。美光计划仅在3D DRAM于制造成本、复杂度和性能上相较平面DRAM具备足够优势时推出该技术。vHBM、vEIM和cHBM同样未公布商业化量产时间。
影响判断
按原文表述，上述开发表明，先进封装与处理器的紧密集成将在未来内存性能中发挥作用，需要DRAM制造商与逻辑芯片开发者协作。