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美光DRAM路线图曝光：1ε引入晶圆键合，ζÅ节点采用High-NA EUV

美光DRAM路线图曝光：1ε引入晶圆键合，ζÅ节点采用High-NA EUV

据SEMI大半导体产业网报道，美光计划在1ε DRAM工艺引入晶圆键合，并在ζÅ节点采用High-NA EUV。1δ定于2027年下半年量产，位密度提升约20%，面向HBM5、vHBM和vEIM优化。

admin admin 2026-10-29
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