OFweek电子工程网2026年11月3日10:05发布的文章提到，有媒体称长江存储将Xtacking架构用于DRAM存储芯片。该说法未获长江存储确认，本文不作为已发生事件。
已确认的技术信息
原文称，长江存储将Xtacking架构称为“晶栈”，并称其为核心专利，该技术与混合键合技术相关联。
在架构做法上，原文描述为：在两片独立晶圆上分别加工外围电路与存储单元，各自采用适配工艺；完成加工后，通过混合键合将两者合为完整芯片。
与DRAM的关系
原文将NAND与DRAM都归为“存储单元+外围电路”的结构，并据此作技术类推。但原文没有给出任何DRAM产品、参数、客户或时间表，不能据此认定长江存储已有DRAM计划或产品。
影响评估与待核实项
就可确认信息看，该架构在逻辑上允许存储单元与外围电路分开选择工艺。对DRAM设计或供应链的实际影响，目前缺乏可确认信息，不作展开。
待核实项包括：DRAM计划是否存在、是否落地、量产时间与性能指标。